Нижний Новгород, 3–7 октября 2022 года

Принятые доклады

Введите что-нибудь для фильтрации докладов.

Пленарные

Владимир Изяславович Гавриленко (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Фундаментальные свойства структур на основе HgTe

Геннадий Яковлевич Красников (НИИМЭ, Москва, Россия)
Физика и технология современных транзисторных структур

Объемные полупроводники

приглашенный

Дмитрий Андреевич Козлов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Квантовый эффект Холла в трехмерной пленке HgTe

устный

Татьяна Евгеньевна Говоркова (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения Hg1-xFexSe с предельно низким содержанием примесных атомов железа (x ≤ 0.13 ат.%)

Ирина Геннадиевна Горлова (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Фотопроводимость слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3

Никита Борисович Груздев (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Влияние температуры на линии локальных экситонов в оксиде цинка, легированном марганцем

Ирина Владимировна Жевстовских (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Фазовый переход в гибридном металл-органическом перовските: Упругие и оптические свойства

Сергей Владимирович Зайцев-Зотов (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Магнетосопротивление при движении волны зарядовой плотности в квазиодномерных проводниках о-TaS3 и вейлевском полуметалле (TaSe4)2I

Мирон Соломонович Каган (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Проводимость пленок монокристаллического алмаза, слабо легированного бором

Дмитрий Владимирович Козлов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных сдоях HgCdTe

Константин Кудрявцев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Эпитаксиальные слои InGaN для лазеров ИК-диапазона: анализ фотолюминесценции и оптического усиления

Дмитрий Николаевич Лобанов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Стимулированное излучение ИК диапазона в слоях InGaN, полученных методом МПЭ ПА

Александр Яковлевич Шульман (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
О релаксации неравновесных носителей в биполярном полупроводнике с ловушками

стендовый

Зибаханум Искендер гызы Бадалова (Institute of Physics of ANAS, Баку, Азербайджан)
Электронные и фононные спектры магнитных полупроводниковых соединений TlFeS2 и TlFeSе2

Андрей Сергеевич Боголюбский (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Положительная продольная магнитопроводимость селенида ртути, вызванная киральным магнитным эффектом

Мехрибан Ширин гызы Гасанова (АзТУ, Баку, Азербайджан)
Некоторые оптические свойства тонкопленочных структур на основе (In2Te3)0.99(MnTe2)0.01

Петр Александрович Дементьев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эволюция электрофизических свойств объемных кристаллов β-(GaxAl1−x)2O3

Екатерина Владимировна Дементьева (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Особенности люминесценции объемных кристаллов β-(GaxAl1-x)2O3

Наталья Васильевна Дикарева (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Люминесценция наноструктурированного кремния

Мария Владимировна Зорина (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Черный кремний методом ионно-пучкового травления

Светлана Алексеевна Кадинская (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование фотоэлектрических свойств гидротермальных наноструктур оксида цинка

Михаил Анатольевич Калинников (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Формирование эпитаксиальных слоев InGaN для источников видимого красного и ИК диапазонов методом ПА МПЭ

Дмитрий Владимирович Козлов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути

Игорь Витальевич Коробейников (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Повышение термоэлектрического фактора мощности в кристаллах p-SnSe при высоком давлении

Игорь Витальевич Коробейников (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Термоэлектрические свойства орторомбической фазы высокого давления теллурида олова

Юрий Михайлович Кузнецов (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Термоэлектрические свойства GexSi1-x, легированного из источника фосфида кремния

Александр Трофимович Лончаков (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Исследование приповерхностной области монокристаллических образцов HgSe комбинированным методом терморефлектометрии и интерферометра Фабри-Перо

Ирада Аюб Мамедова (Institute of Physics of ANAS, Баку, Азербайджан)
Расчёты из первопринципов и экспериментальное исследование методом спектральной эллипсометрии электронных свойств монокристаллов CdGa2Se4

Алена Андреевна Никольская (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Ионно-лучевой синтез гексагонального кремния фазы 9R-Si на подложках Si с разной ориентацией

Оксана Борисовна Романова (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
Электронный фазовый переход в системе HoXMn1-XS

Людмила Ефимовна Семенова (ИОФ РАН, Москва, Россия)
Резонансное рассеяние света на ТО фононах при двухфотонном возбуждении в кристалле CdS

Максим Николаевич Ситников (СибГАУ им. М. Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
Релаксационные эффекты и ток в LuxMn1-xS, индуцируемый ультразвуком

Михаил Сергеевич Сторожевых (ИОФ РАН, Москва, Россия)
Временные зависимости фотопроводимости в кристаллах ZnSe:Te, легированных железом

Сергей Александрович Тарелкин (ТИСНУМ, Москва, Россия)
Транспортные свойства синтетических монокристаллов алмаза легированных азотом в диапазоне T = 450-1000 K

Давид Исаакович Тетельбаум (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Свойства слоев монокристаллов β-Ga2O3, подвергнутых имплантации ионов кремния

Галина Владимировна Тихомирова (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Фазовые переходы в углеродных материалах при высоких давлениях

Любовь Викторовна Удод (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
Влияние замещения ионами железа на фазовые переходы в пиро-станнате висмута методом ИК спектроскопии

Антон Михайлович Харьков (СибГАУ им. М. Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
Магнитоимпеданс в полупроводниках HoxMn1-xS

Алексей Валерьевич Шестаков (КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН, Казань, Россия)
Зависимость формы линий спектров ЭПР узкозонных полупро-водников Pb1-xGdxTe (x = 0,001) от микроволновой мощности

Поверхность, пленки, слои

приглашенный

Александр Александрович Саранин (ИАПУ ДВО РАН, Владивосток, Россия)
Однослойный металлический NiSi2 эпитаксиально встроенный в Si(111): Электронные и транспортные свойства

устный

Виталий Львович Альперович (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Угловые распределения электронов, эмитированных из полупроводников с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы

Владимир Леонидович Берковиц (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Многообразие анизотропных плазмонных нанокластеров, образующихся на поверхности кубических полупроводников

Александр Эдуардович Климов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Эффект поля в пленочных МДП структурах на основе PbSnTe:In

Данил Антонович Колосовский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Формирование InAs островков в процессе отжига подложки InP(001) в потоке мышьяка

Михаил Вячеславович Лебедев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Модификация пространственного распределения приповерхностных потенциалов зон InP(001) и GaP(001)

Андрей Сергеевич Тарасов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Универсальный метод приготовления атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей топологических изоляторов AVBVI

Наталия Львовна Шварц (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Движение капель золота по вицинальной поверхности Si(111)

стендовый

Демид Суад Абрамкин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Искусственные подложки GaAs/Si(001), выращенные методом МЛЭ с использованием слоёв LT-GaAs

Максим Сергеевич Аксенов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние отжига на электрофизические и физико-химические свойства Ti/InAlAs и Pt/InAlAs контактов Шоттки

Максим Сергеевич Аксенов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние фтора на электронные свойства границ раздела диэлек-трик(оксид)/InGaAs

Прохор Анатольевич Алексеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Закрепление уровня Ферми на окисленной поверхности AIIIBV наноструктур

Василий Вениаминович Бакин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Преломление электронов на интерфейсе р-GaAs(Cs,O) - вакуум

Лидия Сергеевна Волкова (ИНМЭ РАН, Москва, Россия)
Получение и исследование свойств плазмонных слоев на основе наноструктур TiOx

Галина Сергеевна Гагис (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Получение наноразмерных слоёв твёрдых растворов в пластинах GaSb, GaAs, InAs за счёт твердофазных реакций замещения

Андрей Андреевич Гисматулин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Транспорт заряда в пленках аморфного оксида алюминия, изготовленных в промышленной ALD-установке, с учетом контактов с различными материалами

Дмитрий Витальевич Горшков (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Исследование границы раздела между CdHgTe и HfO2, выращенным методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения

Дмитрий Витальевич Горшков (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Предварительная химическая очистка CdHgTe от естественного оксида в растворах соляной кислоты и аммиака

Тимофей Сергеевич Гришин (ИНМЭ РАН, Москва, Россия)
Исследование формирования наночастиц серебра на поверхности SiO2, полученных вакуумными методами напыления

Юрий Александрович Данилов (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Свойства слоев углерода, полученных импульсным лазерным методом

Анатолий Васильевич Двуреченский (ИЛФ СО РАН, Новосибирск, Россия)
Двумерные слои Si, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF2/Si(111)

Евгений Александрович Емельянов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние толщины маски на основе эпитаксиальных слоев Si/GaAs(001) на самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов АIIIВV

Евгений Александрович Емельянов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Диффузия Zn в InP из планарного источника Zn3P2 при быстром термическом отжиге

Евгений Александрович Емельянов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaPxAs1-x на вицинальной поверхности (001): кинетическая модель формиро-вания состава в анионной подрешетке

Алексей Владимирович Кацюба (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Радиационное зарождение и рост кристаллов CaSi2 в процессе эпитаксиального роста CaF2 и после формирования пленки CaF2

Алексей Николаевич Клочков (НИЯУ МИФИ, Москва, Россия)
Эпитаксиальный рост пленок n-InAs на подложках из сапфира

Данил Антонович Колосовский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Трансформация поверхности InP(001) при удалении оксида в потоке мышьяка

Елена Васильевна Коненкова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эпитаксия полуполярных слоев GaN на наноструктурированннных Si подложках

Дмитрий Сергеевич Королев (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Исследование процессов ионно-лучевого формирования нановключений оксида галлия в диэлектрических матрицах

Ирина Андреевна Краснова (НГУ, Новосибирск, Россия)
Исследование пассивирующих свойств собственного окисла CdHgTe для поверхности подвергнутой жидкостному травлению

Кирилл Александрович Лозовой (ТГУ, Томск, Россия)
Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/Si

Денис Сергеевич Милахин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Начальная стадия эпитаксии нитрида алюминия на поверхности Si(111) с разной степенью нитридизации

Денис Сергеевич Милахин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Подготовка поверхности кремния Si(111) к эпитаксиальному росту структур A3-нитридов методом МЛЭ

Денис Сергеевич Милахин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Преобразование морфологии и поверхностной энергии монослоев GaN, выращенных на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Алла Георгиевна Настовьяк (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Моделирование капельной эпитаксии нанокластеров GaN

Ефим Петрович Неустроев (СВФУ им. М.К. Аммосова, Якутск, Россия)
Исследование свойств углеродных пленок, сформированных методом осаждения в низкотемпературной плазме метана и лазерно-го облучения

Максим Викторович Поляков (ИНМЭ РАН, Москва, Россия)
Исследование термической стабильности наноструктурированного CoCrFeNiCu выскоэнтропийного сплава

Сергей Артемьевич Пономарев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Низкотемпературный гистерезис фазового перехода β⇔β' в пленках In2Se3/Si(111)

Дмитрий Игоревич Рогило (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
In situ отражательная электронная микроскопия для изучения процессов на поверхности Bi2Se3(0001)

Дмитрий Игоревич Рогило (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Структурные и морфологические нестабильности Si(111)-7×7 в процессе роста кремния и травления кислородом и селеном

Станислав Александрович Рожков (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Термодинамическая стабильность фотоэмиссионных свойств p-GaAs(Cs,O) фотокатода

Жанна Викторовна Смагина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Зарождение и рост квантовых точек Ge на структурированных подложках Si

Анна Александровна Спирина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние ориентации и морфологии подложек на направление роста GaAs нанопроволок

Михаил Сергеевич Сторожевых (ИОФ РАН, Москва, Россия)
Влияние рельефа поверхности Si/Si (001) на структуру смачивающих слоев Ge

Михаил Сергеевич Сторожевых (ИОФ РАН, Москва, Россия)
Диффузия атомов водорода в слоях Si и Ge, выращенных на диэлектрических подложках

Сергей Викторович Федина (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
Особенности процессов формирования эпитаксиальных массивов самокаталитических GaP ННК на Si (111)

Семён Андреевич Хахулин (СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия)
Реализация метода спектроскопии анизотропного отражения в среднем инфракрасном диапазоне

Генрих Эрнстович Шайблер (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Особенности спектров квантового выхода фотоэмиссии из p-GaAs(Cs,O), обусловленные пленением излучения в эпитаксиальной структуре

Василий Александрович Швец (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Эллипсометрическая термометрия в низкотемпературных процессах роста гетероструктур на основе кадмий-ртуть-теллура

Гетероструктуры и сверхрешетки

приглашенный

Владимир Яковлевич Алешкин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Плазмонные поляритоны в HgTe/CdHgTe гетероструктурах с квантовыми ямами

Сергей Анатольевич Тарасенко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Циркулярная поляризация фотолюминесценции закрученных ван-дер-ваальсовых гетероструктур

устный

Сергей Алексеевич Дворецкий (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Новые центры рекомбинации в слоях МЛЭ КРТ на подложках (013) GaAs

Кирилл Джикирба (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Высокодобротные моды сверхрезонатора Фабри-Перо

Ольга Юрьевна Коваль (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
Аксиально- гетероструктурированные нитевидные нанокри-сталлы GaPN/GaP: оптические свойства

Александр Юрьевич Маслов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Поляронные эффекты в тонкой пленке на ионных подложках

Николай Николаевич Михайлов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Энергетическое положение уровней размерного квантования в структурах с множественными CdxHg1-xTe квантовыми ямами

Вадим Ярославович Покровский (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Линейная и нелинейная фотопроводимость квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности

Владимир Павлович Попов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Термостабильность HZO сегнетоэлектриков в MFIS структурах

Родион Романович Резник (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
InGaAs квантовые точки в AlGaAs нитевидных нанокристаллах на поверхности кремния

Владимир Владимирович Румянцев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Исследование безызлучательных механизмов рекомбинации в структурах с КЯ на основе HgCdTe

Михаил Александрович Фадеев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Вынужденное излучение в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe в диапазоне 3-6 мкм

стендовый

Линар Алмазович Алтынбаев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Естественная оптическая активность квантовых ям на основе CdTe с симметричными и асимметричными барьерами

Тимур Анатольевич Багаев (НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия)
Упругонапряженные гетероструктуры GaInAs/AlGaInAs/InP для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 1.92-2.02 мкм

Григорий Владимирович Будкин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Спектроскопическое проявление туннельной связи в ассиметричной системе двойных квантовых ям CdTe/ZnTe

Анастасия Борисовна Гордеева (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Спектроскопия анизотропного отражения как метод диагностики напряжений в гетероструктурах

Александр Сергеевич Дашков (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
ТГц источники излучения на сверхрешётках AlGaAs/GaAs

Алексей Валентинович Ершов (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Люминесцентные свойства отожженных многослойных нанопериодических структур Ge/Al2O3 и Si/Ge/Si/Al2O3

Мирон Соломонович Каган (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Электронный транспорт в сверхрешетках с электрическими доменами

Дмитрий Александрович Литвинов (ФИАН, Москва, Россия)
Получение и ближнепольная микроскопия квантовых точек InSb/GaSb

Денис Сергеевич Милахин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Гетероструктуры AlGaN/GaN, выращенные методом аммиачной МЛЭ на отечественных и зарубежных подложках Si(111)

Иван Андреевич Михайлов (ИНМЭ РАН, Москва, Россия)
Исследование химического состава наногетероструктур AlxGa1-xAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Илья Николаев (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Обратимая смена типа проводимости в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe с помощью оптического затвора

Анна Александровна Разова (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Температурное гашение стимулированного излучения гетероструктур с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe в диапазоне длин волн 5-10 мкм

Максим Станиславович Ружевич (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Оптические переходы в структурах на основе InAsSb

Илья Владимирович Самарцев (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Метаморфные гетероструктуры для InP/GaAs СВЧ диодов

Вячеслав Алексеевич Тимофеев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Особенности формирования наноструктур GeSn и множественных квантовых ям GeSiSn/Si на наноструктурированной фасетированной поверхности (311)

Анастасия Михайловна Титова (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Выращенные методом HW CVD гетероэпитаксиальные n+-Ge/p+-Si(001) структуры для светоизлучающих диодов

Дмитрий Владимирович Ушаков (БГУ, Минск, Белоруссия)
Многофотонные дизайны лазерных переходов в квантово-каскадных структурах ТГц диапазона

Софья Владиславовна Хазанова (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Влияние электрического поля на вариацию показателя преломления InGaAs/AlGaAs/GaAs туннельно-связанных квантовых ям в модуляторе по схеме Маха-Цендера

Двумерные системы

приглашенный

Александр Борисович Ваньков (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Спиновые экситоны с аномальной дисперсией и макрозаполнением в квантово-холловском ферромагнетике

Владимир Александрович Волков (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Свойства двумерных экранированных магнитоплазмонов и магнитоплазмон-поляритонов

Александр Васильевич Горбунов (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Когерентность магнитоэкситонного конденсата в холловском диэлектрике

Леонид Викторович Кулик (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Нейтральные возбуждения в Лафлиновской жидкости

Матвей Вульфович Энтин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Структура и динамические свойства двумерного вигнеровского кластера

устный

Игорь Сергеевич Бурмистров (ИТФ им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, Россия)
Электромагнитный и гравитационный отклики в неупорядоченном двумерном электронном газе в магнитном поле

Ирина Львовна Дричко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Спин-орбитальное взаимодействие и коллективная локализация дырок в АС-магнетопроводимости в структуре p-GaAs/AlGaAs с высокой подвижностью

Андрей Александрович Заболотных (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Плазмонные солитоны в экранированной 2D электронной системе

Антон Владимирович Иконников (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Циклотронный резонанс в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe в умеренных магнитных полях

Кирилл Николаевич Капралов (Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Баллистически-гидродинамический переход и коллективные моды в двумерных электронных системах в магнитном поле

Лев Исаакович Магарилл (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Магнитные краевые состояния 2Д электронных систем

Григорий Максимович Миньков (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Транспортные явления в квантовых ямах HgTe с двумя (верхним и нижним) полевыми электродами

Михаил Юрьевич Морозов (СФ ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия)
Усиление терагерцовых плазменных волн в желобковом металлическом волноводе с графеном

Дмитрий Александрович Похабов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Спонтанная структуризация канала квантового точечного контакта, обусловленная межэлектронным взаимодействием

Николай Дмитриевич Семенов (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Магнитодисперсия двумерных плазмон-поляритонов

Елена Игоревна Титова (МФТИ, Москва, Россия)
ТГц детектирование на p-n переходе в двуслойном графене с открытой запрещенной зоной

Виталий Анатольевич Ткаченко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Электронно-транспортные свойства мезоскопических систем с полупроводниковым искусственным графеном

Антон Вячеславович Щепетильников (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Спин-орбитальное взаимодействие в GaN/AlGaN и ZnO/MgZnO гетеропереходах

Михаил Викторович Якунин (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Особенности магнитотранспорта в двойных квантовых ямах p-HgTe/CdHgTe

стендовый

Павел Сергеевич Алексеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фазовый переход между баллистическим и гидродинамическим течениями двумерных электронов в магнитном поле

Даниил Александрович Асафов (НИУ ВШЭ, Москва, Россия)
Viscous flow through a finite-width slit, and the coexistence of no-slip and no-stress boundary conditions

Вероника Евгеньевна Бисти (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Двумерные электроны низкой плотности в магнитном поле

Максим Вадимович Боев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Квадратичный электродинамический отклик двумерных наноструктур на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов

Светлана Викторовна Гудина (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Гигантское расщепление Рашбы в асимметричных квантовых ямах на основе HgCdTe

Алексей Михайлович Зарезин (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Аномальное запаздывание релятивистских плазменных возбуждений в частично экранированных двумерных электронных системах

Максим Сергеевич Иванов (ЗабИЖТ ИрГУПС, Чита, Россия)
Исследование интенсивности электрон-плазмонного взаимодействия при сближении энергии плазмона и межзонного перехода в кристаллах (Bi2-хSbх)Te3

Михаил Николаевич Лапушкин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Формирование 2D-полупроводникового интерметаллида KxAuy

Махмуд Максуд Махмудиан (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Теория Вигнеровской шестеренчатой передачи

Владимир Николаевич Неверов (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Анизотропия магнитной восприимчивости и сопротивления двумерной разупорядоченной системы Nd2-xCexCuO4+δ

Владимир Николаевич Неверов (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Механизмы сбоя фазы для одиночных и двойных гетеропереходов в квантовых фазовых переходах плато-плато КЭХ

Артур Олегович Рудаков (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Рекомбинация носителей заряда с испусканием плазмонов в многоямных гетероструктурах HgTe/CdHgTe

Илья Владиславович Сафонов (Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Проявление эффекта Кулоновского увлечения в спектрах и затухании двумерных плазмонов

Алексей Фролов (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Демонстрация коллективного движения волны зарядовой плотности под воздействием электрического поля Холла

Александр Виктрович Шабанов (Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Оптимальная асимметрия в детекторах терагерцового излучения, основанных на транзисторах с двумерным каналом

Нульмерные системы

приглашенный

Александр Германович Милёхин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Наноскопия полупроводниковых наноструктур

Дмитрий Сергеевич Смирнов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Динамическая спиновая и долинная поляризация локализованных электронов

устный

Дмитрий Михайлович Казанцев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Максимум в спектре фотоотклика квантового точечного контакта с плавным потенциальным барьером

Игорь Вадимович Крайнов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Дробовый шум в резонансном туннелировании. Случай неупругого рассеяния

Владимир Николаевич Манцевич (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Перепутанные состояния в коррелированных квантовых точках

Александр Миссавирович Минтаиров (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Энионные состояния в спектрах магнито-фотолюминесценции самоорганизованных квантовых точек InP/GaInP2

Ольга Олеговна Смирнова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Оптическое выстраивание и оптическая ориентация экситонов в ансамбле коллоидных наноплателетов CdSe/CdS

стендовый

Демид Суад Абрамкин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Новые GaSb/AlP квантовые точки - перспективный объект для создания универсальной памяти

Иван Дмитриевич Авдеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Перенормировка g-факторов в квантовых точках из халькогенидов свинца

Людмила Сергеевна Басалаева (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Исследование фононного спектра коллоидных двумерных наноструктур ZnSe

Владимир Анатольевич Бурдов (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Резонансный перенос экситонов в ансамблях нанокристаллов: универсальность фёрстеровского подхода

Александр Анатольевич Головатенко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние дисперсии формы нанокристаллов CdSe на наблюдаемую тонкую энергетическую структуру экситонов

Иван Владимирович Крылов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Структурные особенности и механизмы проводимости нанокристаллических оксидов NiхСо3-хО4

Мария Сергеевна Кузнецова (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Антистоксова люминесценция перовскитных нанокристаллов в стеклянных матрицах

Никита Витальевич Леппенен (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Квантовые эффекты Зенона при оптическом измерении спинов локализованных электронов

Кирилл Аркадьевич Свит (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Энергетическая структура и оптические свойства квантовых точек CdS, синтезированных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт

Александр Викторович Селькин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Поверхностная квантово-размерная рекомбинация фотоносителей в микрокристаллах CdTe

Александр Михайлович Смирнов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Нелинейно-оптический отклик коллоидного раствора нанопластинок CdSe различной концентрации

Дмитрий Сергеевич Смирнов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Ориентация током спина дырки в хиральном квазистационарном состоянии

Спиновые явления

приглашенный

Валерий Сергеевич Запасский (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Спектроскопия спиновых шумов: избранные сюжеты

Максим Викторович Сапожников (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Топологический эффект Холла в наноструктурированных магнитных пленках

Олег Евгеньевич Терещенко (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Новый полупроводниковый источник спин-поляризованных электронов и спин-детектор с пространственным разрешением

устный

Кирилл Александрович Барышников (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Метод обнаружения вязкой электронной жидкости по пространственному распределению спиновой поляризации

Василий Валерьевич Белых (ФИАН, Москва, Россия)
Субмиллисекундная спиновая релаксация в нанокристаллах перовскитов CsPb(Cl,Br)3 в стеклянной матрице

Григорий Владимирович Будкин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Новый тип спин-орбитального расщепления в низкосимметричных квантовых ямах

Константин Сергеевич Денисов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Резонансная генерация спина терагерцовым электрическим полем в двумерных материалах с магнитным затвором

Михаил Владимирович Дорохин (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Эффект спиновой памяти в наноструктурах InGaAs/GaAs, дельта-легированных Mn

Инна Викторовна Калитухо (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Сосуществование короткодействующего и дальнодействующего ферромагнитных эффектов близости в гибридной структуре Fe/CdTe квантовая яма

Павел Вячеславович Петров (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Неупорядоченная модель Изинга: от численного моделирования к аналитическому решению

Анна Валерьевна Родина (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Теория неупругого рассеяния света с многократным переворотом спинов локализованных носителей заряда

Игорь Владимирович Рожанский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Особенности асимметричного рассеяния электронов и дырок в полупроводниках

Алина Рамилевна Хисамеева (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Спиновые и псевдо-спиновые ферромагнитные фазовые переходы в режиме квантового эффекта Холла

Тимур Сезгирович Шамирзаев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Спиновая динамика носителей заряда в непрямозонных квантовых ямах

Алексей Валерьевич Шестаков (КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН, Казань, Россия)
Особенности спектров ЭПР ZnMn2As2

стендовый

Андрей Николаевич Анисимов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Расщепление спинов вакансионных центров в гексагональном SiC от механического напряжения

Сергей Степанович Аплеснин (СибГАУ им. М. Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
Магнитосопротивление на постоянном и переменном токе в феррите висмута с кобальтом

Михаил Владиславович Ведь (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Спиновый светодиод с модуляцией интенсивности

Игорь Павлович Вейшторт (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
ОДМР в изотопно-модифицированном карбиде кремния

Михаил Михайлович Глазов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Спиновый эффект Холла в сверхчистых электронных каналах

Александр Анатольевич Головатенко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фактор Ланде и ларморова прецессия дырки в полупроводниковых нанокристаллах

Антон Владимирович Здоровейщев (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Управление характеристиками спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt ионным облучением

Иван Иванович Козлов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Двойной резонанс в рамановском рассеянии света с испусканием оптического фонона в квантовых ямах (Cd, Mn)Te

Николай Владимирович Козырев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Энергетическая и спиновая релаксация экситонов и трионов в квантовых ямах (Cd, Mn)Te

Кирилл Васильевич Лихачев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Изготовление и исследование квантовых сенсоров, совмещен-ных с атомно-силовым микроскопом, на основе вакансионных центров наночастиц 6H-SiC

Алексей Владимирович Лукоянов (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Зонная структура и топологические особенности соединений Gd(Ni)Sb

Игорь Иванович Ляпилин (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Новый метод генерации спинового тока в гибридных структу-рах

Михаил Дмитриевич Рагоза (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эффект магнитосопротивления при поляризованной подсветке в эпитаксиальных пленках GaAs n-типа

Максим Александрович Чернопицский (ФИАН, Москва, Россия)
Комбинационное рассеяние света с переворотом спина в объемных кристаллах GaSe

Елена Ивановна Шредер (ИФМ УрО РАН, Екатеринбург, Россия)
Электронная структура и оптические свойства сплавов Гейслера Mn2MeAl (Me=Ti, V, Cr) с высокой спиновой поляризацией

Ирина Анатольевна Югова (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Синхронизация спиновой прецессии дырок в перовскитных нанокристаллах CsPb(Cl,Br)3

Примеси и дефекты

устный

Никита Сергеевич Аверкиев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Микроскопическая модель комплекса VGa-TeAs в n-GaAs

Владимир Васильевич Гудков (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Влияние пьезоэлектричества на эффект Яна-Теллера в легиро-ванных кристаллах

Максим Сергеевич Жолудев (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Расчёт локализованных и резонансных состояний акцепторов в твёрдом растворе CdHgTe

Роман Хусейнович Жукавин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Осцилляции Рамсея в германии, легированном мышьяком

Иван Александрович Кокурин (МГУ им. Н. П. Огарёва, Саранск, Россия)
Многоцентровые акцепторные комплексы и их влияние на люминесценцию в кубических полупроводниках

Роман Алексеевич Кузьмин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние температуры облучения на процессы радиационного дефектообразования в SiC

Игорь Васильевич Осинных (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Исследование кинетики и зависимости от мощности возбуждения фотолюминесценции, обусловленной дефектами, в сильно легированных слоях AlN:Si

Александр Валерьевич Пошакинский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Тонкая структура возбужденных уровней кремниевых вакансий в карбиде кремния

Валерий Николаевич Шастин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Кинетика неравновесных состояний двойных доноров в кремнии

стендовый

Иван Анатольевич Александров (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Процессы диффузии атомов As в InP

Кирилл Александрович Барышников (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Микроскопический расчет константы обменного взаимодействия дырки и d-оболочки примесного марганца в объемном GaAs

Ольга Викторовна Вихрова (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Комбинированный лазерный метод получения магнитных полупроводников

Антон Алексеевич Конаков (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Электронные состояния двухзарядных доноров в непрямозонных полупроводниках

Сергей Александрович Миронов (ИОФ РАН, Москва, Россия)
Влияние различных режимов легирования железом на состав и пространственное распределение примесно-дефектных центров в CVD-ZnSe

Дмитрий Дмитриевич Приходько (ТИСНУМ, Москва, Россия)
Электронные состояния донорного центра в алмазе, образованного атомом фосфора в позиции замещения

Максим Николаевич Сарычев (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Ультразвуковые исследования ян-теллеровских комплексов в кристалле CdSe:Cr

Ренат Тимергалиевич Сибатов (УлГУ, Ульяновск, Россия)
Модель прыжкового транспорта в нанокомпозитах органический полупроводник - углеродные нанотрубки

Артем Михайлович Скоморохов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Объединённое исследование алмазных пластин для определения концентраций NV-дефектов

Олег Станиславович Трушин (ЯФ ФТИАН РАН, Ярославль, Россия)
Альтернативные механизмы релаксации упругих напряжений в гетеро-эпитаксиальной структуре Ge/Si(001)

Вениамин Владимирович Цыпленков (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Фотонное эхо на внутрицентровых переходах мелких доноров в Ge

Семён Игоревич Ченцов (ФИАН, Москва, Россия)
Лазерное воздействие на одиночные люминесцентные центры, сформированные ядрами частичных дислокаций в CdTe

Высокочастотные явления в полупроводниках

приглашенный

Михаил Васильевич Дурнев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Краевые токи в двумерных системах, индуцированные высокочастотным электрическим полем

Олег Васильевич Кибис (НГТУ, Новосибирск, Россия)
Светоиндуцированное спаривание носителей заряда в квантовых ямах

Вячеслав Михайлович Муравьев (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Плазмоника для систем терагерцовой электроники

устный

Павел Сергеевич Алексеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фотосопротивление сильно вязкой электронной жидкости в магнитном поле: вязкоупругий резонанс и эффекты памяти

Иван Владимирович Андреев (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Релятивисткая перенормировка спектра магнитоплазмонов в двумерных электронных системах с сильным экранированием

Максим Вадимович Боев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Флоке инженерия экситонов в полупроводниковых наноструктурах

Павел Борисович Родин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Коллапсирующие домены Ганна и lock-on эффект в высоковольтных лавинных GaAs диодах

Максим Леонидович Савченко (Венский университет, Вена, Австрия)
Поляризационно-зависимые осцилляции магнитосопротивления, индуцированные микроволновым излучением

Валерий Николаевич Трухин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Терагерцовый эмиттер на основе эпитаксиального слоя InAs

стендовый

Shahla Khalilova (Institute of Physics of ANAS, Баку, Азербайджан)
The Frequency Of Current Fluctuations In Two-Valley Semiconductors In An External Electric And Strong Magnetic (μH > c) Fields

Иван Владимирович Андреев (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Поперечные плазменные волны в двумерной электронной системе с задним затвором

Дмитрий Алексеевич Белов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Температурные зависимости мощностных характеристик квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона

Василий Валентинович Бельков (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фототоки в графеновых латеральных сверхрешетках

Зе Дон Квон (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
СВЧ-фотокондактанс структур с квантовым точечным контактом

Вадим Михайлович Ковалёв (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Линейный фотогальванический эффект в монослоях дихалькогенидов переходных металлов в полупроводниковом и сверхпроводящем режимах

Алексей Михайлович Можаров (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
Теоретическое и экспериментальное исследование работы диода Ганна на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия

Михаил Александрович Ормонт (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Влияние кулоновских эффектов на частотную зависимость проводимости неупорядоченных полупроводников

Михаил Александрович Ормонт (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Особенности использования степенной функции при анализе частотных зависимостей проводимости неупорядоченных полупроводников

Николай Дмитриевич Семенов (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Применение метода LC-контуров для проектирования плазмонного резонатора

Атомарно-тонкие полупроводники

приглашенный

Леонид Евгеньевич Голуб (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Кулоновские эффекты в поглощении света в дираковских материалах

Владимир Викторович Еналдиев (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Влияние релаксации решетки на электронные и оптоэлектронные свойства слабо разориентированных бислоёв дихалькогенидов переходных металлов

Алексей Акимович Торопов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
2D экситоны в одиночных монослоях GaN в AlN

устный

Богдан Романович Бородин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Усиление фотолюминесценции в многослойных MoSe2 наноструктурах сформированных методом локального анодного окисления

Андрей Юрьевич Клоков (ФИАН, Москва, Россия)
Гиперзвуковая микроскопия Ван-дер-Ваальсовых гетероструктур на основе hBN/WSe2/hBN/Al2O3

Вадим Михайлович Ковалёв (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Поперечный акустоэлектрический эффект в графене

Любовь Викторовна Котова (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Анизотропия оптических свойств тонких пленок гексагонального нитрида бора

Василий Кравцов (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Управление нелинейными экситон-поляритонами в резонаторах на основе атомарно тонких полупроводников

Дмитрий Александрович Свинцов (МФТИ, Москва, Россия)
Аномальный циклотронный резонанс в графене

Марина Александровна Семина (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Трионы с отрицательной приведенной массой в двумерных полупроводниках

Захар Александрович Яковлев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Межслоевой экситонный полярон в атомарно-тонких полупроводниках

стендовый

Екатерина Александровна Архипова (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Транспортные свойства дельта-слоев бора в CVD алмазе

Богдан Романович Бородин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фрикционная механическая зондовая литография дихалькогенидов переходных металлов

Михаил Михайлович Глазов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние деформации на тонкую структуру экситонных состояний в монослоях дихалькогенидов переходных металлов

Анна Юрьевна Кривоногова (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Оптические свойства двумерных островков дисульфида вольфрама (WS2)

Нина Николаевна Курусь (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Нано-КРС графеном в режиме щелевого плазмона

Денис Сергеевич Милахин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Фурье анализ СТМ изображений при формировании g-Si3N3 на начальных этапах нитридизации поверхности кремния Si(111)

Сергей Николаевич Николаев (ФИАН, Москва, Россия)
Новая слоистая фаза EuS2

Максим Николаевич Сарычев (УрФУ им. Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия)
Экситонные состояния в монокристаллах перовскита CH3NH3PbBr3

Юрий Александрович Сергеев (ИПФ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Нелинейное прохождение ТГц излучения через графен

Ренат Тимергалиевич Сибатов (УлГУ, Ульяновск, Россия)
Асимметричные монослои XMoSiN2 (X=S, Se, Te) и вертикальные гетероструктуры на их основе для применений в наноэлектронике

Александр Васильевич Черненко (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Зависимость ширины линий фотолюминесценции структур с монослоями дихалькогенидов переходных металлов от толщины инкапсулирующего слоя нитрида бора

Нанофотоника

приглашенный

Григорий Наумович Гольцман (МПГУ, Москва, Россия)
На пути к масштабируемым и полнофункциональным квантово-фотонным схемам на полупроводниковом кристалле

Анатолий Васильевич Двуреченский (ИЛФ СО РАН, Новосибирск, Россия)
Метаматериалы в управлении функциональными характеристиками компонент нанофотоники на основе кремния с квантовыми точками

Владимир Константинович Калевич (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Незатухающие циркулярные токи в экситон-поляритонных конденсатах с целочислеными и дробными орбитальными угловыми моментами

Алексей Витальевич Новиков (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Высокодобротные моды в диэлектрических микрорезонаторах на основе светоизлучающих гетероструктур SiGe

устный

Прохор Анатольевич Алексеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Фотонные резонаторы на основе MoSe2 наноструктур

Андрей Анатольевич Деменев (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Поляризационные свойства излучения InAs квантовых точек в GaAs волноводных метаструктурах с золотым фотонно-кристалическим слоем

Игорь Витальевич Загороднев (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Плазмон-поляритонные моды проводящего диска

Владимир Петрович Кочерешко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Экситонные поляритоны в микрорезонаторах

Андрей Анатольевич Максимов (ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия)
Искусственно созданные компактные источники циркулярно-поляризованного света на основе хиральных полупроводниковых гетероструктур

Дмитрий Александрович Мыльников (Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ, Долгопрудный, Россия)
О предельных возможностях двумерной плазмоники в приложениях фотодетектирования

Максим Владимирович Рахлин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Источник одиночных фотонов с пространственно-временным демультиплексированием на основе квантовой точки в микрорезонаторе

Михаил Валерьевич Рыбин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Связанные фотонные состояния в континууме и суперрезонансные моды в диэлектрических структурах

Сергей Григорьевич Тиходеев (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Нелинейно-оптические свойства экситон-поляритонов в кирально-модулированном микрорезонаторе

Николай Михайлович Шубин (ФИАН, Москва, Россия)
Связанные состояния в непрерывном спектре и особые точки в многомодовых квантово-механических и оптических волноводах

Татьяна Васильевна Шубина (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Экситон-поляритоны в спиральных трубках MoS2

стендовый

Ксения Владимировна Барышникова (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Мультипольный анализ оптического отклика бианизотропных наноструктур

Алексей Александрович Блошкин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Усиление чувствительности Ge/Si фотоприемников ближнего ин-фракрасного диапазона метаповерхностями

Сергей Александрович Дьяков (Сколтех, Москва, Россия)
Поверхностные волны Дьяконова в ограниченных средах

Алексей Александрович Иванов (СПбПУ, Санкт-Петербург, Россия)
Плазмонный резонанс в композитном метаматериале AsSb - Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03

Алексей Александрович Иванов (СПбПУ, Санкт-Петербург, Россия)
Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN

Владимир Дмитриевич Игошин (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Механизм образования исключительных точек при нарушении симметрии резонатора

Петр Иванович Лазаренко (НИУ МИЭТ, Зеленоград, Россия)
Интегральные активные устройства нанофотоники на основе функциональных материалов Ge-Sb-Te

Анастасия Дмитриевна Никитина (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Нелинейный циркулярный дихроизм в димерах и тримерах диэлектрических наночастиц

Сергей Игоревич Павлов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Резонансные оптические особенности 2D-периодических плазмон-волноводных структур с различной геометрией решеток

Данил Александрович Родионов (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Плазменные резонансы в экранированной двумерной электронной системе в форме диска

Наталья Сергеевна Салахова (Сколтех, Москва, Россия)
Расчет оптических свойств муаровых метаповерхностей при помощи Фурье модального метода

Юрий Михайлович Серов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Кинетика излучения биэкситонного каскада в одиночной квантовой точке InAs/GaAs в высокодобротном микрорезонаторе

Жанна Викторовна Смагина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Диэлектрические резонаторы со встроенными GeSi квантовыми точками

Маргарита Владимировна Степихова (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Резонансные явления и коллективные взаимодействия в спектрах фотолюминесценции одиночных цилиндрических резонаторов и их массивов, сформированных на кремниевых структурах с нано-островками Ge(Si)

Маргарита Владимировна Степихова (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Фотонные моды в люминесцентном отклике двумерных фотонных кристаллов, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si)

Дмитрий Евгеньевич Уткин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Особенности резонансного отражения для решёток Ge-дисков на подложках Si, обусловленные междисковым расстоянием

Владимир Уточкин (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Стимулированное излучение на длинах волн 2.45 и 2.75 мкм в HgCdTe структурах с КЯ при комнатной температуре

Илья Маркович Фрадкин (Сколтех, Москва, Россия)
Гомогенизация резонансных метаматериалов

Кристина Фризюк (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Нелинейный циркулярный дихроизм в димерах цилиндрических наночастиц из арсенида галлия

Александра Фурасова (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Ми-резонансный транспортный слой для увеличения поглощения света и эффективности перовскитных солнечных элементов

Владимир Викторович Чалдышев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Критический беспорядок в резонансных брэгговских структурах InGaN/GaN

Дмитрий Владимирович Юрасов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Усиление фотолюминесценции Ge/Si(001) слоев за счет взаимодействия с модами фотонных кристаллов

Артем Николаевич Яблонский (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Спектро-кинетические характеристики люминесценции двумерных фотонных кристаллов и Ми-резонаторов на основе SiGe структур с Ge(Si) наноостровками

Полупроводниковые приборы и устройства

приглашенный

Андрей Андреевич Гисматулин (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Мемристорная память на основе оксидов и нитридов кремния

Сергей Вячеславович Морозов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Лазеры на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe для среднего и дальнего ИК диапазонов

Виктор Михайлович Устинов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Эпитаксиальные технологии гетероструктур для СВЧ-приборов и вертикально-излучающих лазеров

Рустам Анварович Хабибуллин (ИСВЧПЭ РАН, Москва, Россия)
Эффективные зонные дизайны квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

Максим Витальевич Якушев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Матричные ИК фотоприемники на основе гетероструктур узкозонных полупроводников

устный

Александр Алексеевич Дубинов (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Сверхкомпактный терагерцовый квантово-каскадный лазер на основе гетероструктуры HgCdTe

Михаил Сергеевич Иванов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Пикосекундное лавинное переключение высоковольтных Si диодов: эксперимент и численное моделирование

Евгений Сергеевич Колодезный (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, изготовленной методом травления сфокусированным ионным пучком

Данила Сергеевич Саранин (МИСиС, Москва, Россия)
Максены Тi3C2Tx для легирования и модификации поверхности стабилизированных перовскитных солнечных элементов

Сергей Олегович Слипченко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Импульсные источники лазерного излучения кВт уровня на ос-нове линеек полупроводниковых лазеров

Зинаида Николаевна Соколова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Особенности генерации излучения в полупроводниковых лазерах на квантовых ямах

Григорий Семенович Соколовский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Мощные квантово-каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона

Валентин Андреевич Сёмкин (Лаборатория оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ, Долгопрудный, Россия)
Разрешение поляризации излучения на графен-металлическом переходе, калиброванным затворным напряжением

Нигина Талбанова (МИСиС, Москва, Россия)
Полупрозрачные перовскитные солнечные элементы с верхним контактом, полученным ионно-лучевым напылением

Мария Тюхова (МИСиС, Москва, Россия)
Перовскитные солнечные элементы с инвертированной структурой на гибкой подложке

стендовый

Сергей Станиславович Аношкин (ИТМО, Санкт-Петербург, Россия)
Разработка синих перовскит-кадмиевых светодиодов

Тимур Анатольевич Багаев (НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия)
Исследование излучательных характеристик гибридных и интегрированных импульсных лазеров – тиристоров

Инна Юрьевна Богуш (ИНЭП ЮФУ, Таганрог, Россия)
Исследование характеристик электродов суперконденсаторов на основе кремний-углеродных структур

Олег Александрович Бронников (МИСиС, Москва, Россия)
Нанокристаллический NiOx р-типа для перовскитной оптоэлектроники с применением лучевых технологий

Линда Буджемила (СПбПУ, Санкт-Петербург, Россия)
Electrical Characteristics of CsPbI3 and CsPbBr3 Lead Halide Perovskite Nanocrystal Films Deposited on Si-C Solar Cells for High-Efficiency Photovoltaics

Александр Васильевич Войцеховский (ТГУ, Томск, Россия)
Электрофизические характеристики униполярных NBνN структур на основе HgCdTe

Александр Андреевич Воробьев (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
Диод Шоттки СВЧ диапазона на одиночных нитевидных нанокристаллов нитрида галлия

Павел Андреевич Гостищев (МИСиС, Москва, Россия)
Анионное легирование галогенидных перовскитов для повышенной стабильности работы солнечных модулей

Никита Владимирович Гультиков (НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия)
Предельные мощностные характеристики линеек лазерных диодов (l= 808 нм) на основе Al-содержащих и Al-free гетероструктур

Лилия Николаевна Дворецкая (СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Санкт-Петербург, Россия)
Селективная эпитаксия материалов A3B5 на кремнии

Инга Олеговна Ерманова (МИСиС, Москва, Россия)
Пассивация интерфейса дырочно-транспортный слой/перовскит полимером для стабилизации работы солнечно-го элемента

Ирина Викторовна Ерофеева (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Формирование наноструктурного SiGe, легированного фосфором, с термоэлектрическими свойствами

Тимур Маратович Залялов (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние содержания примеси на сегнетоэлектрические свойства и концентрацию ловушек в Hf0,5Zr0,5O2:La при циклировании

Василий Владимирович Золотарев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Разработка резонатора диодного лазера на основе двумерного фотонного кристалла с выводом излучения с поверхности чипа

Василий Владимирович Золотарев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Увеличение апертуры излучения одномодовых полупроводниковых РБЗ лазеров

Александр Михайлович Иванов (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование электрофизических и шумовых характеристик светодиодов на основе InGaN/GaN квантовых ям при температуре жидкого азота

Артур Рустэмович Иштеев (МИСиС, Москва, Россия)
Исследование радиационной стойкости монокристаллов MAPbBr3 и диодной структуры на их основе

Ирина Леонидовна Калентьева (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Особенности технологии изготовления магниторезистивных диодов p-(Ga,Mn)As/n-InGaAs/n+-GaAs

Андрей Юрьевич Клоков (ФИАН, Москва, Россия)
Исследование тепловых свойств восстановленного лазерным излучением оксида графена методом lock-in ИК радиометрии

Данил Антонович Колосовский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
DpHEMT миллиметрового диапазона с донорно-акцепторным легированием

Данил Антонович Колосовский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Молекулярно-лучевая эпитаксия и темновые токи InAlSb/InSb гетероструктур

Данил Антонович Колосовский (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Оптимизация конструкции гетероструктур pHEMT для ключевых транзисторов СВЧ-диапазона

Татьяна Олеговна Комаричева (МИСиС, Москва, Россия)
Зависимость выходной мощности перовскитных фотопреобразователей от цветовой температуры искусственных источников освещения

Тхай Шон Ле (МИСиС, Москва, Россия)
Slot-die печатные перовскитные солнечные элементы и минимодули

Николай Анатольевич Малеев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Высокоскоростные вертикально-излучающие лазеры спек-трального диапазона 1300 – 1550 нм

Григорий Васильевич Ненашев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Влияние температуры на свойства двухтерминального металлоорганического перовскитного перезаписываемого мемристора для нейроморфных операций

Алексей Витальевич Новиков (ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия)
Плазмохимическое травление Si и Ge на большую глубину с использованием маски из электронных резистов

Сергей Владимирович Оболенский (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов

Александр Александрович Подоскин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Импульсные суб-нс источники лазерного излучения на основе GaAs/AlGaAs лазерных гетероструктур с объёмной активной областью

Александр Александрович Подоскин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Модовая селекция во внешнем резонаторе для линеек одномодовых лазеров на длину волны 1060нм

Сергей Олегович Слипченко (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Оптическая связь в линейках латеральных одномодовых волноводов и ее влияние на динамику модовой структуры лазерных источников (1060нм) на их основе

Ольга Соболева (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Сравнительный анализ излучательных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарных 1D и 2D моделей с учетом транспорта носителей

Анатолий Маркович Стрельчук (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Характерные особенности токов в идеальных и неидеальных диодах на основе карбида кремния

Виталий Сергеевич Тумашев (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Влияние геометрии Au катализатора на формирование упорядоченных массивов наностолбиков при метал-стимулированном каталитическом травлении кремния

Анна Борисовна Чигинева (НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород, Россия)
Тиристорные А3В5 структуры, выращенные методом ГФЭ МОС, и приборы на их основе

Генрих Эрнстович Шайблер (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Немонотонное поведение средней поперечной энергии электронов, эмитированных p-GaAs(Cs,O) фотокатодом, в процессе его кислород-индуцированной деградации

Альфия Масхутовна Шарафутдинова (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Влияние термической обработки на структурные и оптические свойства нанонитей Ge, полученных электрохимическим осаждением

Альфия Масхутовна Шарафутдинова (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Электрофизические свойства нанотрубок диоксида титана, модифицированных медью

Иван Дмитриевич Юшков (НГУ, Новосибирск, Россия)
Мемристоры на основе слоёв GeSixOy с нанокластерами германия

Алексей Олегович Якубов (МИЭТ, Москва, Россия)
Исследования адгезии тонких пленок Ge2Sb2Te5 к гибкой подложке

Алексей Олегович Якубов (МИЭТ, Москва, Россия)
Температурные зависимости электрофизических характеристик тонких пленок Ge2Sb2Te5

Нано- и оптомеханика

устный

Валентин Юрьевич Качоровский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Упругая блокада в одноэлектронном транзисторе

Максим Валерьевич Никитин (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Воздействие высокочастотных механических колебаний на транспортные свойства квазиодномерных проводников

Владислав Андреевич Шаров (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaP при механической деформации

стендовый

Егор Сергеевич Вяткин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Теория оптомеханического разогрева и охлаждения фононов в поляритонных микрорезонаторах

Михаил Сергеевич Дунаевский (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Генерация тока при трении контакта металл-полупроводник

Топологические изоляторы

приглашенный

Зе Дон Квон (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Двумерный топологический Андерсоновский изолятор в квантовых ямах на основе HgTe

устный

Сергей Владимирович Аксенов (ИФ им. Л. В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
Проявление гибридизации майорановских мод в эффекте Ааронова-Бома

Юрий Борисович Васильев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Электронный транспорт в бесщелевом кристалле HgCdTe

Никита Витальевич Леппенен (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Нелинейное оптическое поглощение и фототок на поверхностных состояниях топологических изоляторов

Рамиль Асхатович Ниязов (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Управляемые магнитным полем геликоидальные кристаллы

Леонид Николаевич Овешников (ФИАН, Москва, Россия)
Магнетотранспорт в сверхпроводящих пленках Cd3As2

Владимир Алексеевич Сабликов (ФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия)
Резонансы примесных состояний и резонансное рассеяние в 2D топологических материалах с дисперсией мексиканской шляпы

Наталья Петровна Степина (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Структурные и магнето-транспортные свойства пленок топологических изоляторов на основе халькогенидов висмута

Дмитрий Ремович Хохлов (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Киральная нелокальная фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe

стендовый

Хаяла Вагиф Алигулиева (СГУ, Сумгаит, Азербайджан)
Рамановское рассеяние в соединениях MnBi2Te4·n(Bi2Te3)

Борис Аронович Аронзон (ФИАН, Москва, Россия)
Линейное магнетосопротивление в поликристаллах дираковского полуметалла (Cd1−xMnx)3As2

Алексей Казаков (МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия)
Вклад состояний на интерфейсах в терагерцовую фотопроводимость в структурах на основе Hg1-xCdxTe с инверсным спектром

Самир Шамил оглы Кахраманов (Institute of Physics of ANAS, Баку, Азербайджан)
Высокотемпературные осцилляции магнетосопротивления в слоистых кристаллах Bi2Te3 легированных Cu или Ni

Валерия Евгеньевна Минакова (ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия)
Влияние одноосного растяжения на проводимость топологически нетривиального квазиодномерного проводника TaSe3

Рамиль Асхатович Ниязов (СПбГУ, Санкт-Петербург, Россия)
Дробовой шум в интерферометрах Ааронова-Бома

Максим Сергеевич Рыжков (ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия)
Краевой и объемный транспорт в двумерном топологическом изоляторе на основе квантовой ямы CdHgTe

Валерий Николаевич Трухин (ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия)
Исследование фототоков в квантовых ямах α-Sn/Ge посредством регистрации терагерцового излучения

Денис Владимирович Хомицкий (ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия)
Микроскопическая модель локализованных состояний на крае двумерного топологического изолятора в присутствии магнитных барьеров


Важные даты

  • 03.10.2022 — Начало конференции;

Контакты

Александр Алексеевич Дубинов — ученый секретарь оргкомитета,
Мария Владимировна Зорина

Тел: +7 910 7968950,
(831) 417-94-94 +234,
(831) 417-94-94 +520

Факс: (831) 417-94-64

E-mail: semicond@semicond2022.ru

Спонсоры